三星第一代3nm制程SF3介绍：较4nm FinFET平台实现22%频率提升(三星第二代3nm工艺)

IT之家 5 月 8 日消息，2023 国际超大规模集成电路技术研讨会将于 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。官方现提前透露了一些将会在此次顶会上揭晓的内容。

除了技术演示外，VLSI 研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。届时还会有一些科技前沿的 CMOS 技术重点论文，例如“全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）”。

三星 3nm 技术之所以如此备受期待，是因为它实现从 FinFET 到 Gate-All-Around 晶体管架构的转变。据称，SF3 相较 4nm FinFET 平台实现了 22% 频率提升、34% 能效改进、21% 面积微缩（PPA） 。

三星 SF3 技术是业界首款量产 GAA 工艺（SF3E）的升级版，采用多桥通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）设计，可以为各种纳米片宽度提供相当不错的性能，在固定的标准单元高度下显著提高了芯片级的功耗性能矩阵，从而超越 FinFET 平台。

根据韩国媒体的说法，三星 2023-2024 年将以 3nm 生产为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP )，其生产良率初期可维持在 60-70% 的范围内，而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2 纳米级别节点。

在三星与台积电都进入 3nm 制程的时代之后，未来 3nm 制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此，预计到 2025 年之际，3nm 制程市场的产值将会高达 255 亿美元（IT之家备注：当前约 1762.05 亿元人民币），超越 5nm 时预估的 193 亿美元产值。

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市场调查机构 TrendForce 的数据显示，2022 年第三季，在全球晶圆代工市场中，台积电仍以 53.4% 市场份额稳居第一，排名第二的三星市场份额仅 16.4%。所以，在市场烈竞争下，也使得 3nm 制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。