万事俱备，你与电子技术大牛的差距，就差这个中英文对照了(电子技术英文讲解)
干电子行业，不会一点点英文是上不了台面的。datasheet（元件资料)一般都是英文，芯片大多是国外的，没办法。
每个行业都有行业术语，这些术语也有专业的英文。电子技术大牛都是懂这些英语专业术语的。如你什么都会了，万事俱备，下面一份术语汇总，你来瞧瞧，中英文对照，你离大神，就差这个了
A
Abrupt junction 突变结
Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主
Acceptor atom 受主原子
Accumulation 积累、堆积
Accumulating contact 积累接触
Accumulation region 积累区
Accumulation layer 积累层
Active region 有源区
Active component 有源元
Active device 有源器件
Activation 激活
Activation energy 激活能
Active region 有源（放大）区
Admittance 导纳
Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件
Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物
Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的
Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的
Amplifier 功放 扩音器 放大器
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃
Anneal 退火
Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极
Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇
Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩
Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发
B
Background carrier 本底载流子
Background doping 本底掺杂
Backward 反向
Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻
Ball bond 球形键合
Band 能带
Band gap 能带间隙
Barrier 势垒
Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度
Base 基极
Base contact 基区接触
Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间
Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制
Basis vector 基矢
Bias 偏置
Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码
Binary compound semiconductor
二元化合物半导体
Bipolar 双极性的
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫
Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触
Body – centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构
Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合
Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点
Bootstrap circuit 自举电路
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器
Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃
Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子
Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿
Break over 转折
Brillouin 布里渊
Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的
Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内
Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生
Bulk recombination 体复合
Burn – in 老化
Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟
Buried diffusion region 隐埋扩散区
C
Can 外壳
Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面
Capture carrier 俘获载流子
Carrier 载流子、载波
Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入
Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联
Case 管壳
Cathode 阴极
Center 中心
Ceramic 陶瓷（的）
Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿
Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂
Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度
Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电
Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒
Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage
电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法
Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP)
化学机械抛光 Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率
Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管
Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率
Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器
Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益
Collector 集电极
Collision 碰撞
Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection
共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益
Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
Compatibility 兼容性
Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质
Compensated semiconductor 补偿半导体
Complementary Darlington circuit
互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)
计算机辅助设计/ 测试 /制造
Compound Semiconductor 化合物半导体
Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底)
Conduction level/state 导带态
Conductor 导体
Conductivity 电导率
Configuration 组态
Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态
Constants 物理常数
Constant energy surface 等能面
Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触
Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程
Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势
Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂
Controlled 受控的
Converter 转换器
Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合
Covalent 共阶的
Crossover 跨交
Critical 临界的
Crossunder 穿交
Crucible坩埚
Crystal defect/face/orientation/lattice
晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度
Curvature 曲率
Cut off 截止
Current drift/dirve/sharing
电流漂移/驱动/共享
Current Sense 电流取样
Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路
Cylindrical 柱面的
Czochralshicrystal 直立单晶
Czochralski technique
切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
D
Dangling bonds 悬挂键
Dark current 暗电流
Dead time 空载时间
Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意
Decderate 减速
Decibel (dB) 分贝
Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级
Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级
Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体
Degeneracy 简并度
Degradation 退化
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin
摄氏/开氏温度
Delay 延迟
Density 密度
Density of states 态密度
Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似
Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度
Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层
Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区
Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺
Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice）
Diode 二极管
Dielectric 介电的
Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入
Differential amplifier 差分放大器
Differential capacitance 微分电容
Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散
Diffusion coefficient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数
Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace
扩散电容/势垒/电流/炉
Digital circuit 数字电路
Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层
Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体
Direct transition 直接跃迁
Discharge 放电
Discrete component 分立元件
Dissipation 耗散
Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容
Distributed model 分布模型
Displacement 位移 Dislocation 位错
Domain 畴
Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽
Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体
Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
Drift 漂移
Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率
Dry etching 干法腐蚀
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化
Dose 剂量
Duty cycle 工作周期
Dual-in-line package （DIP）
双列直插式封装
Dynamics 动态
Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗
E
Early effect 厄利效应
Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量
Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM)
一次性电可擦除只读存储器
Electrode 电极
Electrominggratim 电迁移
Electron affinity 电子亲和势
Electronic -grade 电子能
Electron-beam photo-resist exposure
光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气
Electron-grade water 电子级纯水
Electron trapping center 电子俘获中心
Electron Volt (eV) 电子伏
Electrostatic 静电的
Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体
Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球
Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑
Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器
Empty band 空带
Emitter crowding effect
发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试
Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图
Enhancement mode 增强型模式
Enhancement MOS 增强性
MOS Entefic (低)共溶的
Environmental test 环境测试
Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层
Epitaxial slice 外延片
Expitaxy 外延
Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers
平衡多数/少数载流子
Erasable Programmable ROM (EPROM)
可搽取（编程）存储器
Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀
Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模
Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能
Excited state 激发态
Exciton 激子
Extrapolation 外推法
Extrinsic 非本征的
Extrinsic semiconductor 杂质半导体
F
Face – centered 面心立方
Fall time 下降时间
Fan-in 扇入
Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复
Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈
Fermi level 费米能级
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布
Femi potential 费米势
Fick equation 菲克方程（扩散）
Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层
Filled band 满带
Film 薄膜
Flash memory 闪烁存储器
Flat band 平带
Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声
Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅
Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带
Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声
Frequency response 频率响应
Function 函数
G
Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
Gamy ray r 射线
Gate 门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层
Gauss（ian） 高斯
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布
Generation-recombination 产生-复合
Geometries 几何尺寸
Germanium(Ge) 锗
Graded 缓变的
Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结
Grain 晶粒
Gradient 梯度
Grown junction 生长结
Guard ring 保护环
Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
Gunn – effect 狄氏效应
H
Hardened device 辐射加固器件
Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉
Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
Heavy saturation 重掺杂
Hell – effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结
Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）
异质结双极型晶体
High field property 高场特性
High-performance MOS.( H-MOS)高性能
MOS. Hormalized 归一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器
Hot carrior 热载流子
Hybrid integration 混合集成
I
Image – force 镜象力
Impact ionization 碰撞电离
Impedance 阻抗
Imperfect structure 不完整结构
Implantation dose 注入剂量
Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质
Impurity scattering 杂志散射
Incremental resistance
电阻增量（微分电阻）
In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物
Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的
Injection 注入
Input offset voltage 输入失调电压
Insulator 绝缘体
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅
FET Integrated injection logic集成注入逻辑
Integration 集成、积分
Interconnection 互连
Interconnection time delay 互连延时
Interdigitated structure 交互式结构
Interface 界面
Interference 干涉
International system of unions国际单位制
Internally scattering 谷间散射
Interpolation 内插法
Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体
Inverse operation 反向工作
Inversion 反型
Inverter 倒相器
Ion 离子
Ion beam 离子束
Ion etching 离子刻蚀
Ion implantation 离子注入
Ionization 电离
Ionization energy 电离能
Irradiation 辐照
Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性
J
Junction FET(JFET) 结型场效应管
Junction isolation 结隔离
Junction spacing 结间距
Junction side-wall 结侧壁
L
Latch up 闭锁
Lateral 横向的
Lattice 晶格
Layout 版图
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion
晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流
Level shifting 电平移动
Life time 寿命
linearity 线性度
Linked bond 共价键
Liquid Nitrogen 液氮
Liquid－phase epitaxial growth technique
液相外延生长技术
Lithography 光刻
Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
Load line or Variable 负载线
Locating and Wiring 布局布线
Longitudinal 纵向的
Logic swing 逻辑摆幅
Lorentz 洛沦兹
Lumped model 集总模型
M
Majority carrier 多数载流子
Mask 掩膜板，光刻板
Mask level 掩模序号
Mask set 掩模组
Mass – action law质量守恒定律
Master-slave D flip-flop主从D触发器
Matching 匹配
Maxwell 麦克斯韦
Mean free path 平均自由程
Meandered emitter junction梳状发射极结
Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
Megeto – resistance 磁阻
Mesa 台面
MESFET-Metal Semiconductor
金属半导体FET
Metallization 金属化
Microelectronic technique 微电子技术
Microelectronics 微电子学
Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子
Misfit 失配
Mismatching 失配
Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率
Module 模块
Modulate 调制
Molecular crystal分子晶体
Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管
Multiplication 倍增
Modulator 调制
Multi-chip IC 多芯片IC
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块
Multiplication coefficient倍增因子
N
Naked chip 未封装的芯片（裸片）
Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻
Nesting 套刻
Negative-temperature-coefficient 负温度系数
Noise margin 噪声容限
Nonequilibrium 非平衡
Nonrolatile 非挥发（易失）性
Normally off/on 常闭/开
Numerical analysis 数值分析
O
Occupied band 满带
Officienay 功率
Offset 偏移、失调
On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触
Open circuit 开路
Operating point 工作点
Operating bias 工作偏置
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
Optical photon =photon 光子
Optical quenching光猝灭
Optical transition 光跃迁
Optical-coupled isolator光耦合隔离器
Organic semiconductor有机半导体
Orientation 晶向、定向
Outline 外形
Out-of-contact mask非接触式掩模
Output characteristic 输出特性
Output voltage swing 输出电压摆幅
Overcompensation 过补偿
Over-current protection 过流保护
Over shoot 过冲
Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭
Overload 过载
Oscillator 振荡器
Oxide 氧化物
Oxidation 氧化
Oxide passivation 氧化层钝化
P
Package 封装
Pad 压焊点
Parameter 参数
Parasitic effect 寄生效应
Parasitic oscillation 寄生振荡
Passination 钝化
Passive component 无源元件
Passive device 无源器件
Passive surface 钝化界面
Parasitic transistor 寄生晶体管
Peak-point voltage 峰点电压
Peak voltage 峰值电压
Permanent-storage circuit 永久存储电路
Period 周期
Periodic table 周期表
Permeable – base 可渗透基区
Phase-lock loop 锁相环
Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导
Photo diode 光电二极管
Photoelectric cell 光电池
Photoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件
Photolithographic process 光刻工艺
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂
Pin 管脚
Pinch off 夹断
Pinning of Fermi level
费米能级的钉扎（效应）
Planar process 平面工艺
Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体
Plezoelectric effect 压电效应
Poisson equation 泊松方程
Point contact 点接触
Polarity 极性
Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor聚合物半导体
Poly-silicon 多晶硅
Potential (电)势
Potential barrier 势垒
Potential well 势阱
Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管
Preamplifier 前置放大器
Primary flat 主平面
Principal axes 主轴
Print-circuit board(PCB) 印制电路板
Probability 几率
Probe 探针
Process 工艺
Propagation delay 传输延时
Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通
Pulse triggering/modulating
脉冲触发/调制Pulse
Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
Punchthrough 穿通
Push-pull stage 推挽级
Q
Quality factor 品质因子
Quantization 量子化
Quantum 量子
Quantum efficiency量子效应
Quantum mechanics 量子力学
Quasi – Fermi－level准费米能级
Quartz 石英
R
Radiation conductivity 辐射电导率
Radiation damage 辐射损伤
Radiation flux density 辐射通量密度
Radiation hardening 辐射加固
Radiation protection 辐射保护
Radiative – recombination辐照复合
Radioactive 放射性
Reach through 穿通
Reactive sputtering source 反应溅射源
Read diode 里德二极管
Recombination 复合
Recovery diode 恢复二极管
Reciprocal lattice 倒核子
Recovery time 恢复时间
Rectifier 整流器（管）
Rectifying contact 整流接触
Reference 基准点 基准 参考点
Refractive index 折射率
Register 寄存器
Registration 对准
Regulate 控制 调整
Relaxation lifetime 驰豫时间
Reliability 可靠性
Resonance 谐振
Resistance 电阻
Resistor 电阻器
Resistivity 电阻率
Regulator 稳压管（器）
Relaxation 驰豫
Resonant frequency共射频率
Response time 响应时间
Reverse 反向的
Reverse bias 反向偏置
S
Sampling circuit 取样电路
Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
Satellite valley 卫星谷
Saturated current range电流饱和区
Saturation region 饱和区
Saturation 饱和的
Scaled down 按比例缩小
Scattering 散射
Schockley diode 肖克莱二极管
Schottky 肖特基
Schottky barrier 肖特基势垒
Schottky contact 肖特基接触
Schrodingen 薛定厄
Scribing grid 划片格
Secondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶
Segregation 分凝
Selectivity 选择性
Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散
Semiconductor 半导体
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅
Sendsitivity 灵敏度
Serial 串行/串联
Series inductance 串联电感
Settle time 建立时间
Sheet resistance 薄层电阻
Shield 屏蔽
Short circuit 短路
Shot noise 散粒噪声
Shunt 分流
Sidewall capacitance 边墙电容
Signal 信号
Silica glass 石英玻璃
Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅
Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅
Silicon On Insulator 绝缘硅
Siliver whiskers 银须
Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶
Sink 沉
Skin effect 趋肤效应
Snap time 急变时间
Sneak path 潜行通路
Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池
Solid circuit 固体电路
Solid Solubility 固溶度
Sonband 子带
Source 源极
Source follower 源随器
Space charge 空间电荷
Specific heat(PT) 热
Speed-power product 速度功耗乘积
Spherical 球面的
Spin 自旋
Split 分裂
Spontaneous emission 自发发射
Spreading resistance扩展电阻
Sputter 溅射
Stacking fault 层错
Static characteristic 静态特性
Stimulated emission 受激发射
Stimulated recombination 受激复合
Storage time 存储时间
Stress 应力
Straggle 偏差
Sublimation 升华
Substrate 衬底
Substitutional 替位式的
Superlattice 超晶格
Supply 电源
Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力
Subscript 下标
Switching time 开关时间
Switch 开关
T
Tailing 扩展
Terminal 终端
Tensor 张量
Tensorial 张量的
Thermal activation 热激发
Thermal conductivity 热导率
Thermal equilibrium 热平衡
Thermal Oxidation 热氧化
Thermal resistance 热阻
Thermal sink 热沉
Thermal velocity 热运动
Thermoelectricpovoer 温差电动势率
Thick-film technique 厚膜技术
Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体
Threshlod 阈值
Thyistor 晶闸管
Transconductance 跨导
Transfer characteristic 转移特性
Transfer electron 转移电子
Transfer function 传输函数
Transient 瞬态的
Transistor aging(stress) 晶体管老化
Transit time 渡越时间
Transition 跃迁
Transition-metal silica 过度金属硅化物
Transition probability 跃迁几率
Transition region 过渡区
Transport 输运
Transverse 横向的
Trap 陷阱
Trapping 俘获
Trapped charge 陷阱电荷
Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电
Trigger 触发
Trim 调配 调整
Triple diffusion 三重扩散
Truth table 真值表
Tolerahce 容差
Tunnel(ing) 隧道（穿）
Tunnel current 隧道电流
Turn over 转折
Turn – off time 关断时间
U
Ultraviolet 紫外的
Unijunction 单结的
Unipolar 单极的
Unit cell 原（元）胞
Unity-gain frequency 单位增益频率
Unilateral-switch单向开关
V
Vacancy 空位 Vacuum 真空
Valence(value) band 价带
Value band edge 价带顶
Valence bond 价键
Vapour phase 汽相
Varactor 变容管
Varistor 变阻器
Vibration 振动
Voltage 电压
W
Wafer 晶片
Wave equation 波动方程
Wave guide 波导
Wave number 波数
Wave-particle duality 波粒二相性
Wear-out 烧毁
Wire routing 布线
Work function 功函数
Worst-case device 最坏情况器件
Y
Yield 成品率
Z
Zener breakdown 齐纳击穿
Zone melting 区熔法
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